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          1. 關(guān)注每一條行業(yè)動(dòng)態(tài),關(guān)注光圣半導(dǎo)體


            UV LED新突破|光輻射通量提升近40%,單顆器件光功率超過1500mW

            發(fā)布時(shí)間:

            2023-04-15 10:47

            近日,中山光圣半導(dǎo)體科技有限公司聯(lián)合華南師范大學(xué)王幸福研究員團(tuán)隊(duì),開發(fā)出應(yīng)用于大功率深紫外LED全無機(jī)封裝的高反射率復(fù)合反射膜(下面簡(jiǎn)稱高反膜)。

             

            基于此,光圣推出了新一代天狼星系列產(chǎn)品,通過高反膜減少燈珠內(nèi)部紫外光損耗,結(jié)合PW最新研發(fā)的大功率48mil芯片,成功實(shí)現(xiàn)了單顆天狼星輻射通量超過1500mW,封裝后光輻射通量提升接近40%。

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            ●光圣天狼星系列:全無機(jī)超高功率UVCLED器件

             

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            光圣-華南師大聯(lián)合研發(fā),實(shí)現(xiàn)深紫外LED全無機(jī)封裝新突破

             

            光圣半導(dǎo)體-華南師大聯(lián)合研發(fā)團(tuán)隊(duì),對(duì)“無圍壩基板”和“光窗”進(jìn)行表面處理重構(gòu),制備復(fù)合布拉格反射鏡,調(diào)控高反膜在紫外光區(qū)的反射率,降低光在基板和光窗之間的散射損耗和吸收損耗,大幅提高光萃取效率。

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            ●圖1無高反膜的UVC LED空間輻射分布
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            ●圖2含高反膜的UVC LED空間輻射分布

            芯片發(fā)射的光在布拉格反射鏡的加持下,在支架腔體內(nèi)部多次反射并從光窗逸出,提高了深紫外燈珠外部輸出的輻射通量,最終深紫外成品燈珠光輻射通量增幅達(dá)10%以上,可廣泛應(yīng)用于PW系列、三安系列、UVH系列各類紫外LED封裝后輻射通量提升。

             

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            基于高反膜應(yīng)用的天狼星系列

             

            光圣半導(dǎo)體基于上述高反膜開發(fā)了“全無機(jī)激光封裝焊接技術(shù)、光窗增透膜工藝”,結(jié)合PW最新研發(fā)大功率48mil芯片(芯片性能提升30%),開發(fā)了新一代天狼星系列產(chǎn)品,成功實(shí)現(xiàn)單顆天狼星輻射通量超過1500mW,芯片輻射通量提升與高反膜協(xié)同作用全無機(jī)封裝,使得封裝后光輻射通量提升接近40%。

             

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            ●第一代天狼星光學(xué)參數(shù)

             

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            ●含高反膜的新一代天狼星系列光學(xué)參數(shù)

             

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            產(chǎn)學(xué)研合作助力深紫外LED不斷突破及廣泛應(yīng)用

             

            光圣半導(dǎo)體依托其開發(fā)中心,與華南師范大學(xué)、廣東省半導(dǎo)體院、中科院、長(zhǎng)春理工、五邑大學(xué)等知名科研院所,展開深入合作,優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),積極探索產(chǎn)學(xué)研合作新道路。

            在紫外產(chǎn)品領(lǐng)域,開發(fā)了UVA-UVC全紫外波段單顆產(chǎn)品,滿足消毒殺菌、光固化、植物生長(zhǎng)等各類需求;在大功率紫外LED方面,開發(fā)了天狼星系列產(chǎn)品,單顆光輻射通量超過1500mW;在智能家電領(lǐng)域,開發(fā)了12V、24V、36V等智能恒壓產(chǎn)品。同時(shí),在紫外COB領(lǐng)域,擁有自主設(shè)計(jì)能力,可根據(jù)客戶需求,量身定制各類不同紫外COB產(chǎn)品,滿足客戶多種環(huán)境需求。

             

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            王幸福研究員:高反膜研究核心人物

             

            王幸福研究員:華南師范大學(xué)博士生導(dǎo)師,廣東省杰青,廣東省“第三代半導(dǎo)體材料與器件”重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃首席科學(xué)家。主要研究GaN材料的MOCVD制備及其應(yīng)用,聚焦于當(dāng)前氮化鎵材料和器件所面臨的電學(xué)、熱學(xué)、光電轉(zhuǎn)換技術(shù)瓶頸和基礎(chǔ)科學(xué)問題。課題組主要研究低成本、高效率GaN外延剝離技術(shù)和方法,在此基礎(chǔ)上開展新型微納光電器件和功能化異質(zhì)集成器件與系統(tǒng)(HEMT、Micro-LED、UV LED、Laser)。課題組擁有MOCVD(Thomas Swan)系統(tǒng)、紫外空間輻射分布測(cè)試系統(tǒng)、光刻機(jī)、光電測(cè)試系統(tǒng)、高精度二維轉(zhuǎn)移系統(tǒng)等各類半導(dǎo)體材料制備測(cè)試表征設(shè)備。

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